Школа
Электротехники и Электроники

Князьковой Т.О.
главная   контакты
Научить нельзя, можно только научиться

реклама

тепловизионная диагностика.
верстка сайта на заказ.
инженерная графика,
чертежи на заказ.

изготовление заборов
строительство подстанций
линий эл.передач,
релейная защита,
лабораторные испытания оборудования
  Образование p-n-перехода

При соприкосновении двух полупроводников в приграничном слое происходит воссоединение дырок и электронов. Образуется слой, лишенный свободных носителей (толщиной l), он обладает высоким сопротивлением и называется запирающим слоем. Контактная разность потенциалов Езап.
Запирающий слой препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда (Iдр).

Дрейфовый ток Iдр при движении через p-n-переход снижает контактную разность потенциалов (Езап). Это позволяет некоторой части основных носителей преодолеть потенциальный барьер, появляется диффузионный ток Iдиф. Он направлен навстречу дрейфовому.

Iдиф = Iдр



Влияние постоянного внешнего напряжения на свойства p-n-перехода

Евнеш↑↑Езап, то l↑, R↑, Iобр ↓, Uобр↑ - переход закрыт.
Обратное напряжение может быть Uобр от 100 до 1000В.



Евнеш ↑↓ Езап, то l↓, R ↓, Iпр ↑ и p-n - переход называется прямым, или открытым.
Сопротивление p-n-перехода определяется сопротивлением полупроводника.



Вольт-амперная характеристика p-n перехода



элементная база электроннных устройств

 

Яндекс.Метрика
©  при копировании ссылка на этот сайт обязательна.